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Diodes Incorporated ZXMN2F30FHQTA

Name: ZXMN2F30FHQTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN2F30FHQTA
Price: 0.11284 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (154 reviews)

Número de pieza de MFG: ZXMN2F30FHQTA

Cantidad disponible: 64510 Piezas

Precio de referencia: USD 0.11284

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: ZXMN2F30FHQTA.pdf

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ZXMN2F30FHQTA Presupuesto

Número de pieza del fabricante	ZXMN2F30FHQTA
Número de parte futuro	FT-ZXMN2F30FHQTA
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
ZXMN2F30FHQTA Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	452pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.4W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN2F30FHQTA Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	ZXMN2F30FHQTA-FT

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