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Diodes Incorporated ZXMN10A11K

Name: ZXMN10A11K
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10A11K
Price: 0.4 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (124 reviews)

Número de pieza de MFG: ZXMN10A11K

Cantidad disponible: 23310 Piezas

Precio de referencia: USD 0.4

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: - MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: ZXMN10A11K.pdf

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ZXMN10A11K Presupuesto

Número de pieza del fabricante	ZXMN10A11K
Número de parte futuro	FT-ZXMN10A11K
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
ZXMN10A11K Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	5.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	274pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.11W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252-3
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN10A11K Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	ZXMN10A11K-FT

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