casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZXMN10A08GTA
Número de pieza del fabricante | ZXMN10A08GTA |
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Número de parte futuro | FT-ZXMN10A08GTA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXMN10A08GTA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 3.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 405pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN10A08GTA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZXMN10A08GTA-FT |
DMN10H099SFG-13
Diodes Incorporated
DMN3024SFG-13
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DMN6013LFGQ-13
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DMN3009SFG-7
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
DMN3008SFG-13
Diodes Incorporated
A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
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5SGXEABN2F45I2N
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XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
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