casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / PMIC - Reguladores de voltaje - Lineal / XC6501B3317R-G
Número de pieza del fabricante | XC6501B3317R-G |
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Número de parte futuro | FT-XC6501B3317R-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XC6501B3317R-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de salida | Positive |
Tipo de salida | Fixed |
Número de reguladores | 1 |
Voltaje - Entrada (Máx.) | 6V |
Voltaje - Salida (Min / Fixed) | 3.3V |
Voltaje - Salida (Máx.) | - |
Caída de tensión (máx.) | 0.35V @ 100mA |
Salida de corriente | 200mA |
Actual - Quieto (Iq) | 21µA |
Corriente - Suministro (Máx.) | - |
PSRR | 50dB (1kHz) |
Características de control | Enable |
Características de protección | Over Current, Short Circuit |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-UDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-USPN (0.90x1.2) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XC6501B3317R-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | XC6501B3317R-G-FT |
TCR3UM30A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM18,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM28,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM30,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM33,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM36,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM10,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM11,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM12,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM13,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
AX1000-FGG484I
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EP3C5F256C7
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
LFXP15C-4FN256C
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LFE2-12E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6002LV-4JC
Microchip Technology
EP20K160EBC356-1N
Intel