casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / PMIC - Reguladores de voltaje - Lineal / XC6501B3017R-G
Número de pieza del fabricante | XC6501B3017R-G |
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Número de parte futuro | FT-XC6501B3017R-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XC6501B3017R-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de salida | Positive |
Tipo de salida | Fixed |
Número de reguladores | 1 |
Voltaje - Entrada (Máx.) | 6V |
Voltaje - Salida (Min / Fixed) | 3V |
Voltaje - Salida (Máx.) | - |
Caída de tensión (máx.) | 0.36V @ 100mA |
Salida de corriente | 200mA |
Actual - Quieto (Iq) | 20µA |
Corriente - Suministro (Máx.) | - |
PSRR | 50dB (1kHz) |
Características de control | Enable |
Características de protección | Over Current, Short Circuit |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-UDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-USPN (0.90x1.2) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XC6501B3017R-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | XC6501B3017R-G-FT |
TCR3UM18A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3UM30A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM18,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM28,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM30,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM33,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM36,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM10,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM11,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM12,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL600V5-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2
Intel
EPF6010ATC100-2N
Intel
EPF10K200SFC672-2
Intel
EP3SL340F1760C3
Intel
A40MX02-3PQG100
Microsemi Corporation
5CEFA2F23C8N
Intel