casa / productos / Resistencias / Resistencias especializadas / WSBS8518L1000JT80
Número de pieza del fabricante | WSBS8518L1000JT80 |
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Número de parte futuro | FT-WSBS8518L1000JT80 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Metal Strip® |
WSBS8518L1000JT80 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Shunt, Battery |
Aplicaciones | Automotive AEC-Q200 |
Composición | Metal Element |
Resistencia | 100 µOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 36W |
Coeficiente de temperatura | ±175ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 170°C |
Tipo de montaje | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS8518L1000JT80 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | WSBS8518L1000JT80-FT |
ERA-S15J560V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J561V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J680V
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ERA-S15J682V
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ERA-S15J820V
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ERA-S15J821V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J822V
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ERA-S27J102V
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ERA-S27J121V
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A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
EP1K50TI144-2
Intel
XCVU080-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FGG456I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-PL68
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
5SGXEA3H3F35C3N
Intel