casa / productos / Resistencias / Resistencias especializadas / WSBS8518L1000JT40
Número de pieza del fabricante | WSBS8518L1000JT40 |
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Número de parte futuro | FT-WSBS8518L1000JT40 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Metal Strip® |
WSBS8518L1000JT40 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Shunt, Battery |
Aplicaciones | - |
Composición | Metal Element |
Resistencia | 100 µOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 36W |
Coeficiente de temperatura | ±175ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 170°C |
Tipo de montaje | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS8518L1000JT40 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | WSBS8518L1000JT40-FT |
ERA-V27J181V
Panasonic Electronic Components
ERA-V27J182V
Panasonic Electronic Components
ERA-V27J222V
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ERA-V27J271V
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ERA-V27J331V
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ERA-V27J332V
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ERA-V27J391V
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ERA-V27J470V
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ERA-V27J560V
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ERA-V27J820V
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A40MX02-VQG80
Microsemi Corporation
LFEC1E-4T100C
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XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG676I
Xilinx Inc.
5CGXFC5C7F27C8N
Intel
5SGXEA7K1F40C2N
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60CF780C3N
Intel