casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / WNS40H100CBJ
Número de pieza del fabricante | WNS40H100CBJ |
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Número de parte futuro | FT-WNS40H100CBJ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
WNS40H100CBJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 710mV @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNS40H100CBJ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | WNS40H100CBJ-FT |
UFT20120
Microsemi Corporation
UFT20120A
Microsemi Corporation
UFT20120D
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UFT20140A
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UFT20140D
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UFT40020A
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UFT40020D
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UFT5010A
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UFT7020A
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UFT7020D
Microsemi Corporation
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
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A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
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Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel