casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / WNS20H100CBJ
Número de pieza del fabricante | WNS20H100CBJ |
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Número de parte futuro | FT-WNS20H100CBJ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
WNS20H100CBJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 750mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNS20H100CBJ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | WNS20H100CBJ-FT |
UFT20020A
Microsemi Corporation
UFT20020D
Microsemi Corporation
UFT20120
Microsemi Corporation
UFT20120A
Microsemi Corporation
UFT20120D
Microsemi Corporation
UFT20140A
Microsemi Corporation
UFT20140D
Microsemi Corporation
UFT40020A
Microsemi Corporation
UFT40020D
Microsemi Corporation
UFT5010A
Microsemi Corporation
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel