casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / WND100FET
Número de pieza del fabricante | WND100FET |
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Número de parte futuro | FT-WND100FET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WN |
WND100FET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 100 Ohms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 3W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±20ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.217" Dia x 0.533" L (5.50mm x 13.54mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WND100FET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | WND100FET-FT |
ERD-S1TJ165V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ164V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ163V
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ERD-S1TJ162V
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ERD-S1TJ161V
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ERD-S1TJ160V
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ERD-S1TJ155V
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ERD-S1TJ152V
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LFEC6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8N
Intel
10AX027H3F34E2LG
Intel
XC7K355T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FF676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40E3SG
Intel
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EP20K200CB652C7
Intel