casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / WND100FET
Número de pieza del fabricante | WND100FET |
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Número de parte futuro | FT-WND100FET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WN |
WND100FET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 100 Ohms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 3W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±20ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.217" Dia x 0.533" L (5.50mm x 13.54mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WND100FET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | WND100FET-FT |
ERD-S1TJ165V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ164V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ163V
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ERD-S1TJ162V
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ERD-S1TJ161V
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ERD-S1TJ160V
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LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel