casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / WNB10RFET
Número de pieza del fabricante | WNB10RFET |
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Número de parte futuro | FT-WNB10RFET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WN |
WNB10RFET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 Ohms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 1W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.130" Dia x 0.276" L (3.30mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNB10RFET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | WNB10RFET-FT |
ERO-S2GHF8201
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ERO-S2PHF5111
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A3P125-1TQG144I
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XC3S700A-4FG400I
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XC4VFX140-10FFG1517C
Xilinx Inc.
XC2V1000-4FGG456C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-5BG324I
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EP4CGX50CF23C7
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EP3SL340F1517I4
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5SGSED8N3F45I4N
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Lattice Semiconductor Corporation