casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W989D6DBGX6I TR
Número de pieza del fabricante | W989D6DBGX6I TR |
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Número de parte futuro | FT-W989D6DBGX6I TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W989D6DBGX6I TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPSDR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-VFBGA (8x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W989D6DBGX6I TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W989D6DBGX6I TR-FT |
W632GU8MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GU8MB-15
Winbond Electronics
W632GU8MB-15 TR
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W632GU8MB12I TR
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W632GU8MB15I
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W632GU8MB15I TR
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W29N02GVBIAA
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W29N01HVBINA
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W29N01HVBINF
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XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel