casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W987D6HBGX7E
Número de pieza del fabricante | W987D6HBGX7E |
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Número de parte futuro | FT-W987D6HBGX7E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W987D6HBGX7E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPSDR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (8M x 16) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-VFBGA (8x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W987D6HBGX7E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W987D6HBGX7E-FT |
W632GG8MB-15
Winbond Electronics
W632GG8MB-15 TR
Winbond Electronics
W632GG8MB12I
Winbond Electronics
W632GG8MB12I TR
Winbond Electronics
W632GG8MB15I
Winbond Electronics
W632GG8MB15I TR
Winbond Electronics
W632GU8KT-12
Winbond Electronics
W632GU8MB-11
Winbond Electronics
W632GU8MB-12
Winbond Electronics
W632GU8MB-12 TR
Winbond Electronics
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel