casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W987D2HBJX7E
Número de pieza del fabricante | W987D2HBJX7E |
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Número de parte futuro | FT-W987D2HBJX7E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W987D2HBJX7E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPSDR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (4M x 32) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-VFBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W987D2HBJX7E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W987D2HBJX7E-FT |
W972GG6JB-3I TR
Winbond Electronics
W972GG6JB25I
Winbond Electronics
W972GG6JB25I TR
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W9412G6KH-5
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W9425G6KH-5
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W9464G6KH-5
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W9412G6IH-5
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W9412G6JH-4
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W9412G6JH-5I
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W9412G6KH-4
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XC2S100-5TQ144C
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XC5202-5PQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
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APA300-FG256M
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C8
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10CL010YU256C8G
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5SGSMD5H3F35I3LN
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XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.