casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W987D2HBJX6E
Número de pieza del fabricante | W987D2HBJX6E |
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Número de parte futuro | FT-W987D2HBJX6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W987D2HBJX6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPSDR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (4M x 32) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-VFBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W987D2HBJX6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W987D2HBJX6E-FT |
W972GG6JB-25 TR
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W972GG6JB-3
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XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel