casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W979H2KBQX2I
Número de pieza del fabricante | W979H2KBQX2I |
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Número de parte futuro | FT-W979H2KBQX2I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W979H2KBQX2I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (16M x 32) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 168-WFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 168-WFBGA (12x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W979H2KBQX2I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W979H2KBQX2I-FT |
W29GL128CH9C TR
Winbond Electronics
W29GL128CL9C
Winbond Electronics
W29GL128CL9C TR
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W29GL128PH9B TR
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W29GL128PH9T
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W29GL128PH9T TR
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W29GL256SH9C
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W29GL256SH9C TR
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W29GL256SL9C
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W29GL256SL9C TR
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XC7A50T-3FGG484E
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M1AGL1000V5-FGG484
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A3P250L-VQG100
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5SGXEA4H3F35C4N
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XC6VHX250T-1FF1154I
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XC6SLX16-L1CSG225C
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XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
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LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel