casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W972GG8JB-25
Número de pieza del fabricante | W972GG8JB-25 |
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Número de parte futuro | FT-W972GG8JB-25 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W972GG8JB-25 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-WBGA (11x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W972GG8JB-25 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W972GG8JB-25-FT |
W25Q64FVXGJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVXGJQ TR
Winbond Electronics
W25Q64FVZPIF TR
Winbond Electronics
W25Q64FVZPJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVZPJQ TR
Winbond Electronics
W25Q80BWBYIG TR
Winbond Electronics
W25Q80JVSSIQ TR
Winbond Electronics
W25Q80JVSVIQ
Winbond Electronics
W25Q80JVSVIQ TR
Winbond Electronics
W25Q80JVUXIQ TR
Winbond Electronics
XC2V250-6FG256C
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XC6SLX150T-2FGG676I
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A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
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XC7K355T-1FFG901I
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XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
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LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
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