casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W972GG6JB-25
Número de pieza del fabricante | W972GG6JB-25 |
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Número de parte futuro | FT-W972GG6JB-25 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W972GG6JB-25 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 84-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 84-WBGA (11x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W972GG6JB-25 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W972GG6JB-25-FT |
IS61LPS102436A-166TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LPS12836A-200TQI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LPS12836A-200TQI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LPS204818A-166TQL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LPS204818A-166TQL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LPS25618A-200TQI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LPS25636A-200TQ2I
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LPS25636A-200TQ2I-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
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Intel
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Intel
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Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP3SE50F780C4
Intel