casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W947D2HBJX6E
Número de pieza del fabricante | W947D2HBJX6E |
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Número de parte futuro | FT-W947D2HBJX6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W947D2HBJX6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (4M x 32) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-VFBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W947D2HBJX6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W947D2HBJX6E-FT |
70V261S35PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V35L20PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V35L20PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V38L20PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V38L20PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9079L7PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9079L7PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S166PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S166PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S183PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel