casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W947D2HBJX6E TR
Número de pieza del fabricante | W947D2HBJX6E TR |
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Número de parte futuro | FT-W947D2HBJX6E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W947D2HBJX6E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (4M x 32) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-VFBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W947D2HBJX6E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W947D2HBJX6E TR-FT |
70V35L20PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V35L20PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V38L20PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V38L20PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9079L7PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9079L7PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S166PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S166PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S183PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S183PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel