casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W632GG8MB-12
Número de pieza del fabricante | W632GG8MB-12 |
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Número de parte futuro | FT-W632GG8MB-12 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GG8MB-12 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-VFBGA (10.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8MB-12 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W632GG8MB-12-FT |
W9464G6JH-5I
Winbond Electronics
W9464G6KH-4
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W9464G6KH-4 TR
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W9464G6KH-5I
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W9464G6KH-5I TR
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W9812G6KH-6
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Rohm Semiconductor
W9825G6KH-6
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W9864G6KH-6
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XCS20-3TQ144I
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5SGSMD4K3F40I3L
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Xilinx Inc.
XC4VLX60-10FFG668C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EPF10K50VRI240-3
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