casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W632GG8MB-12
Número de pieza del fabricante | W632GG8MB-12 |
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Número de parte futuro | FT-W632GG8MB-12 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GG8MB-12 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-VFBGA (10.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8MB-12 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W632GG8MB-12-FT |
W9464G6JH-5I
Winbond Electronics
W9464G6KH-4
Winbond Electronics
W9464G6KH-4 TR
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W9464G6KH-5 TR
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W9464G6KH-5I
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W9464G6KH-5I TR
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W9812G6KH-6
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MD56V62160M-7TAZ0AX
Rohm Semiconductor
W9825G6KH-6
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W9864G6KH-6
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A54SX32A-TQG144
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5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEA9N3F45I4N
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LFEC33E-5F672C
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10AX115H3F34E2SG
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EP3SE50F780C4
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