casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W632GG8KB-15
Número de pieza del fabricante | W632GG8KB-15 |
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Número de parte futuro | FT-W632GG8KB-15 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GG8KB-15 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | 667MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-WBGA (10.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8KB-15 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W632GG8KB-15-FT |
W9812G6IH-6
Winbond Electronics
W9812G6JH-5
Winbond Electronics
W9812G6JH-6I
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W9812G6KH-5 TR
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LCMXO2-2000ZE-1TG144I
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AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel