casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / VUO125-18NO7
Número de pieza del fabricante | VUO125-18NO7 |
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Número de parte futuro | FT-VUO125-18NO7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO125-18NO7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Three Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.8kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 166A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.07V @ 50A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200µA @ 1800V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | PWS-C |
Paquete del dispositivo del proveedor | PWS-C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO125-18NO7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VUO125-18NO7-FT |
APTDF60H601G
Microsemi Corporation
APTDR40X1601G
Microsemi Corporation
DDB6U104N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
FBS10-06SC
IXYS
GBO25-12NO1
IXYS
GBO25-16NO1
IXYS
GUO40-16NO1
IXYS
UGB3132AD
IXYS
UGB6124AG
IXYS
UGD6123AG
IXYS
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
EP20K400FC672-3
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35I2L
Intel
XC7K410T-1FFG900I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation
EPF10K10LC84-3
Intel
EP20K160EBC356-1N
Intel