casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / VUO110-08NO7
Número de pieza del fabricante | VUO110-08NO7 |
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Número de parte futuro | FT-VUO110-08NO7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO110-08NO7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Three Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 127A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.13V @ 50A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | PWS-E1 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PWS-E1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO110-08NO7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VUO110-08NO7-FT |
VS-70MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
APTDF100H100G
Microsemi Corporation
APTDF100H170G
Microsemi Corporation
APTDF100H20G
Microsemi Corporation
APTDF100H601G
Microsemi Corporation
APTDF200H100G
Microsemi Corporation
APTDF200H120G
Microsemi Corporation
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
APTDF30H601G
Microsemi Corporation
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR1K
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10CX220YU484I5G
Intel
LFE2M50E-5FN900C
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LFE2M35E-5FN484I
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LFE2-20SE-5F484I
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LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation