casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / VUO105-18NO7
Número de pieza del fabricante | VUO105-18NO7 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VUO105-18NO7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO105-18NO7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Three Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.8kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 140A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.09V @ 40A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1800V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | PWS-C |
Paquete del dispositivo del proveedor | PWS-C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO105-18NO7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VUO105-18NO7-FT |
VS-70MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
APTDF100H100G
Microsemi Corporation
APTDF100H170G
Microsemi Corporation
APTDF100H20G
Microsemi Corporation
APTDF100H601G
Microsemi Corporation
APTDF200H100G
Microsemi Corporation
APTDF200H120G
Microsemi Corporation
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel