casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / VUB120-12NO2
Número de pieza del fabricante | VUB120-12NO2 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VUB120-12NO2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUB120-12NO2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Three Phase (Braking) |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.2kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 188A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.7V @ 30A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | V2-PAK |
Paquete del dispositivo del proveedor | V2-PAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUB120-12NO2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VUB120-12NO2-FT |
MSD30-18
Microsemi Corporation
MSD50-18
Microsemi Corporation
MSD52-18
Microsemi Corporation
MSD75-18
Microsemi Corporation
MSDM100-08
Microsemi Corporation
MSDM100-18
Microsemi Corporation
MSDM150-08
Microsemi Corporation
MSDM150-12
Microsemi Corporation
MSDM150-16
Microsemi Corporation
MSDM150-18
Microsemi Corporation
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel