casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / VT6T12T2R
Número de pieza del fabricante | VT6T12T2R |
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Número de parte futuro | FT-VT6T12T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VT6T12T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potencia - max | 150mW |
Frecuencia - Transición | 300MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | VMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VT6T12T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VT6T12T2R-FT |
HN4A56JU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2003APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2004APG,C,N
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1873-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1873-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4944-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2803AFWG,C,EL
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2004ADR
Texas Instruments
ULN2003AD
Texas Instruments
ULN2003LVDR
Texas Instruments
XC3S1000-4FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C7N
Intel
5AGXBA7D6F27C6N
Intel
EP3C16E144I7
Intel
EP4SE530F43I3
Intel
XC4008E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation