casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / VT6M1T2CR
Número de pieza del fabricante | VT6M1T2CR |
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Número de parte futuro | FT-VT6M1T2CR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VT6M1T2CR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7.1pF @ 10V |
Potencia - max | 120mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | VMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VT6M1T2CR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VT6M1T2CR-FT |
ECH8661-TL-H
ON Semiconductor
ECH8655R-TL-H
ON Semiconductor
ECH8654-TL-H
ON Semiconductor
ECH8657-TL-H
ON Semiconductor
ECH8667-TL-H
ON Semiconductor
ECH8668-TL-H
ON Semiconductor
ECH8690-TL-H
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ECH8602M-TL-H
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ECH8619-TL-E
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ECH8649-TL-H
ON Semiconductor