casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VSSB3L6S-M3/52T
Número de pieza del fabricante | VSSB3L6S-M3/52T |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VSSB3L6S-M3/52T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VSSB3L6S-M3/52T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2.6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 590mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1.2mA @ 60V |
Capacitancia a Vr, F | 358pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSB3L6S-M3/52T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VSSB3L6S-M3/52T-FT |
S2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2D-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel