casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VSSB310-E3/5BT
Número de pieza del fabricante | VSSB310-E3/5BT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VSSB310-E3/5BT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VSSB310-E3/5BT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.9A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 700mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 230pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSB310-E3/5BT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VSSB310-E3/5BT-FT |
S2A-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2A-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel