casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VS-VSKJ250-08PBF
Número de pieza del fabricante | VS-VSKJ250-08PBF |
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Número de parte futuro | FT-VS-VSKJ250-08PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKJ250-08PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 125A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50mA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | MAGN-A-PAK |
Paquete del dispositivo del proveedor | MAGN-A-PAK® |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKJ250-08PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-VSKJ250-08PBF-FT |
DSEE6-06CC
IXYS
HTZ270H48K
IXYS
MBR10100CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR10100CS2TR-G1
Diodes Incorporated
MBR10100CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR10150CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR10150CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2TR-E1
Diodes Incorporated
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel