casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VS-HFA08TB120SL-M3
Número de pieza del fabricante | VS-HFA08TB120SL-M3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-HFA08TB120SL-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFRED® |
VS-HFA08TB120SL-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | - |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 4.3V @ 16A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 95ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB (D²PAK) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA08TB120SL-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-HFA08TB120SL-M3-FT |
VB40120C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40170C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40M120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40M120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB60100C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB60100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB60120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
LFXP10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C6
Intel
EP2SGX90FF1508C3
Intel
EP1C20F400C8N
Intel