casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-HFA06TB120-N3
Número de pieza del fabricante | VS-HFA06TB120-N3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-HFA06TB120-N3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFRED® |
VS-HFA06TB120-N3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 3V @ 6A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 80ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA06TB120-N3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-HFA06TB120-N3-FT |
18TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ050
Vishay Semiconductor Diodes Division
19TQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF08
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel