casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / VS-GBPC3512W
Número de pieza del fabricante | VS-GBPC3512W |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VS-GBPC3512W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-GBPC3512W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.2kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2mA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-Square, GBPC-W |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBPC-W |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GBPC3512W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-GBPC3512W-FT |
E-L6210
STMicroelectronics
L6210
STMicroelectronics
CPC7556N
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7556NTR
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7557N
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7557NTR
IXYS Integrated Circuits Division
UC3610N
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UC2610N
Texas Instruments
UC2610NG4
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UC3610NG4
Texas Instruments
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005XL-1PQ208C
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EP20K400FC672-3
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5AGZME3E2H29I3LN
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5SGXEB6R3F43C2LN
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5SGXEA5K2F35I2L
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XC7K410T-1FFG900I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation
EPF10K10LC84-3
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EP20K160EBC356-1N
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