casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / VS-FB180SA10P
Número de pieza del fabricante | VS-FB180SA10P |
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Número de parte futuro | FT-VS-FB180SA10P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-FB180SA10P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 180A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 380nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10700pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 480W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227 |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-FB180SA10P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-FB180SA10P-FT |
IRF9510L
Vishay Siliconix
IRF9520L
Vishay Siliconix
IRF9530L
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XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
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EP4SGX180FF35C2XN
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EP1SGX25DF1020C6
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