casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-EBU8006HF4
Número de pieza del fabricante | VS-EBU8006HF4 |
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Número de parte futuro | FT-VS-EBU8006HF4 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-EBU8006HF4 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 80A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.53V @ 80A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 8µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | PowerTab® |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerTab® |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-EBU8006HF4 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-EBU8006HF4-FT |
VS-307UA250P4
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307UR160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307UR200
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307UR250
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307URA160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307URA200
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307URA250
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307URA250P4
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-309U160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-309U250
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel