casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-E5TH3012-N3
Número de pieza del fabricante | VS-E5TH3012-N3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-E5TH3012-N3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-E5TH3012-N3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 30A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.3V @ 30A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 113ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-E5TH3012-N3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-E5TH3012-N3-FT |
BAS381-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS381-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS382-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS382-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS383-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS383-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS386-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS386-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV300-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV300-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel