casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-4ESH02HM3/86A
Número de pieza del fabricante | VS-4ESH02HM3/86A |
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Número de parte futuro | FT-VS-4ESH02HM3/86A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-4ESH02HM3/86A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 930mV @ 4A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 20ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-277, 3-PowerDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-277A (SMPC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-4ESH02HM3/86A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-4ESH02HM3/86A-FT |
SD103AWS-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel