casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VS-43CTQ100-011HN3
Número de pieza del fabricante | VS-43CTQ100-011HN3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-43CTQ100-011HN3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-43CTQ100-011HN3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 810mV @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-43CTQ100-011HN3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-43CTQ100-011HN3-FT |
VT3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR60100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1545CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel