casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VS-32CTQ025-N3
Número de pieza del fabricante | VS-32CTQ025-N3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-32CTQ025-N3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-32CTQ025-N3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 25V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 30A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 580mV @ 30A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1.75mA @ 25V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-32CTQ025-N3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-32CTQ025-N3-FT |
UGE18CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10GCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
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XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
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EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
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A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation