casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-31DQ10GTR
Número de pieza del fabricante | VS-31DQ10GTR |
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Número de parte futuro | FT-VS-31DQ10GTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-31DQ10GTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3.3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 850mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 110pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AD, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | C-16 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-31DQ10GTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-31DQ10GTR-FT |
15ETX06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-300U60A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-300UR60A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-400U160D
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-300U40A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD400N24PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-400U120D
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-300U20A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-240U100D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel