casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VS-30CTQ100-N3
Número de pieza del fabricante | VS-30CTQ100-N3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-30CTQ100-N3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-30CTQ100-N3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 30A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 550µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ100-N3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-30CTQ100-N3-FT |
UG8HCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8JCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8JCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE10CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE18CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel