casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-307U200
Número de pieza del fabricante | VS-307U200 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VS-307U200 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-307U200 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 2000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 330A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.46V @ 942A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-205AB, DO-9, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 180°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-307U200 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-307U200-FT |
RGP25MHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP30AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP30BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP30BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP30BL-E3/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP30BLHE3/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP30DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP30DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP30GHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP30GHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel