casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-2EFH01HM3/I
Número de pieza del fabricante | VS-2EFH01HM3/I |
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Número de parte futuro | FT-VS-2EFH01HM3/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-2EFH01HM3/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 16ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-2EFH01HM3/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-2EFH01HM3/I-FT |
V3FM10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM12-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FDHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FG-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel