casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / VS-26MT80
Número de pieza del fabricante | VS-26MT80 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VS-26MT80 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-26MT80 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Three Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | QC Terminal |
Paquete / Caja | 5-Square, D-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-26MT80 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-26MT80-FT |
GBPC2506/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC2508-E4/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC2508/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC2510/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC35005/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC3501/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC3502/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC3504/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC3506/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC3508/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel