casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-20ETF12STRLPBF
Número de pieza del fabricante | VS-20ETF12STRLPBF |
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Número de parte futuro | FT-VS-20ETF12STRLPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-20ETF12STRLPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.31V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 95ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ETF12STRLPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-20ETF12STRLPBF-FT |
UGB8CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel