casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-20ETF10STRRPBF
Número de pieza del fabricante | VS-20ETF10STRRPBF |
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Número de parte futuro | FT-VS-20ETF10STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-20ETF10STRRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.31V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 400ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ETF10STRRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-20ETF10STRRPBF-FT |
UGB8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel