casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-20ETF02-M3
Número de pieza del fabricante | VS-20ETF02-M3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VS-20ETF02-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-20ETF02-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 60ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ETF02-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-20ETF02-M3-FT |
MBR7H35HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR7H45-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR7H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR7H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR7H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8ATHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
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M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
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