casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VS-20CWT10FNTR
Número de pieza del fabricante | VS-20CWT10FNTR |
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Número de parte futuro | FT-VS-20CWT10FNTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-20CWT10FNTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 890mV @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20CWT10FNTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-20CWT10FNTR-FT |
VS-MBRD650CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12W60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12WM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V15W60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel