casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-1N3767
Número de pieza del fabricante | VS-1N3767 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VS-1N3767 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-1N3767 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 900V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 110A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 3mA @ 900V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AB, DO-5, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-203AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 190°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-1N3767 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-1N3767-FT |
FCSP140ETR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1183A
Vishay Semiconductor Diodes Division
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XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
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EP20K100CQ240C7ES
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EP1SGX25DF1020C7N
Intel